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  • [EM02] Transmission Electron Microscope (300 kV)

    [EM02]투과전자현미경(300 kV)
    NTIS등록번호
    NFEC-2011-12-151495
    모델명
    Tecnai G2 F30 S-Twin
    제작사
    FEI
    구축일자
    2011-11-03
    담당부서
    중앙기기연구소
    담당자(정/부)
    조용륜
    없음
    없음
    김수현
    없음
    없음

장비활용 참고 사항

- 예약시간 단위는 30분 입니다.
- 해당기기의 최소 예약시간은 60분 이며, 최대 예약시간은 300분 입니다.
- 최소 예약시간 이후부터 30분 단위로 추가 예약이 가능합니다.
- 현재시간 기준 2일후 부터 예약 가능합니다.

장비예약 안내

※ 공지사항

1) TEM 예약 후 반드시 연구원의 승인/반려 확인바랍니다. (조용륜 박사, yrjo@gm.gist.ac.kr)

2) TEM grid 위에 샘플링이 완료되지 않은 경우, 분석이 불가능하오니 반드시 샘플링해오시기 바랍니다.

3) 가속전압은 300 kV에 안정화 되어 있습니다.

    가속전압 변경이 필요하면 담당자와 사전에 협의하여야 하며, alignment 시간과 요금이 추가로 소요됩니다.

4) 점심 시간: 12:00~13:00

 

※ Notice

1) Please make sure to confirm the approval/return of the researcher after making a TEM reservation. (Yong-ryun Jo, PhD, yrjo@gm.gist.ac.kr)

2) If the sample is not pre-loaded onto a TEM grid, the analysis cannot be performed. Please ensure that the sample is properly prepared in advance.

3) The accelerating voltage is stabilized at 300 kV. 

    If a change in accelerating voltage is required, please consult with the TEM manager in advance. Additional alignment time and fees will be charged.

4) Lunch time: 12:00~13:00

 

 

※ 일정 공지사항

 

1/12, 22, 26     휴가 

1/14~16            출장 및 분석법 개발

1/23                   공동연구 분석

투과전자현미경(Transmission Electron Microscope: Tecnai F30)은 FEG Type으로 수렴도가 우수한 전자 빔을 얻을 수 있으며 고속으로 가속된 전자를 광원으로 사용하기 때문에 수 pm 정도의 매우 짧은 파장의 전자선이 투과 할 수 있다. 수 micrometer정도 두께로 얇게 만든 재료(metal ceramic semiconductor등의 bulk thin film powder 형태의 시편)에 전자빔을 투과시킨 후 자계렌즈를 이용하여 수 백만 배 이상으로 확대시켜 계면(Interface) 전위(Dislocation) 적층결함(Stackingfaults) 석출물 쌍정 두께 결정립미세형상 등의 각종 결정 결함의 크기와 형태를 수 단위로 직접 눈으로 관찰할 수 있다. 또한 회절도형(Diffraction Pattern)으로 재료의 아주 미소한 영역의 여러 성질에 미치는 전자회절상을 얻을 수 있어 재료의 결정성 격자상수 및 결정면 간격 측정 대칭성 분석을 하여 결정 구조 분석을 할 수 있다. 그리고 전자 빔을 시편에 입사시킬 때 나오는 x-ray 또는 분광 분석기를 사용하여 그 에너지의 크기와 세기를 분석할수 있기 때문에 극히 미세한 부분의 화학적 특성을 EDX(Energy Dispersive Spectrometer)장비를 이용하여 시편의 화학적 정성 및 정량적 성분분석을 할 수 있어 구성 원소의 종류와 그 농도를 측정할 수 있다. 이렇게 고 분해능 전자현미경 기술을 이용하면 결정이나 계면 결함의 원자 배열을 원자 하나하나의 규모로 직접 육안으로 관찰할 수 있는 장비이다.
- Electron gun : ZrO/W(100) Schottky Emitter
- Acceleratin voltage range : 50 ~ 300 kV
- Point resolution : 0.2 nm better
- Infmaion limit : 0.14 nm better
- Option : EDS(EDAX)
- Max. Scanning Area(XY) : 0.4 um×0.4 um
- Max. Measureing Range(Z) : 2.5 um
- Max. Sample Shape : ≤15 mm(diameter), ≤5 mm(thick)
- XY Stage movement : 70 mm×70 mm manual translation
- Bright Field Image B/F(명시야상) 
- Dark Field Image D/F(암시야상) 
- Diffraction Pattern(회절도형) 
- Convergent beam electron diffraction CBED(수렴성 회절도형) 
- STEM Mode 
- EDS 장착 (Resolution:136 eV) 원자번호5(B) - 92(U) 까지 분석 
- HADDF / On-axis BF/DF
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